Определение величины и знака встроенного заряда.

Для определения величины и знака встроенного заряда в диэлектрик МДП структуры обычно пользуются высокочастотным методом ВФК. Для этого, зная толщину подзатворного диэлектрика dox, концентрацию легирующей примеси NA и работу выхода материала затвора, рассчитывают согласно формулам

1/C=1/Cox  +1/(Csc +Css )   и

 теоретическое значение емкости плоских зон CFB МДП структуры и напряжения плоских зон VFB=DYms. Поскольку экспериментальная C-V кривая высокочастотная, то проводя сечение  С=const=CFB (теор), мы получаем пересечение этой кривой с экспериментальной ВФХ напряжение, соответствующее Ys=0, т.е. экспериментальное напряжение плоских зон VFB(эксп).

VFB(эксп) -VFB(теор) =Qox / Cox +qNss jo / Cox (7).

Если Qox,Qss >0,то VFB(эксп) >VFB(теор)  и наоборот Qox,Qss <0,то VFB(эксп) <VFB(теор). Таким образом, знак и величина суммарного заряда в плоских зонах определяется соотношением (7) однозначно. Для вычленения заряда в поверхностных сосотояниях воспользуемся тем, что он обусловлен основными носителями (p-тип, Qss (Ys=0)>0 и n-тип Qss (Ys=0)<0), захваченными на поверхностные состояния. Зная величину Nss, можно рассчитать величину заряда в поверхностных состояниях Qss и таким образом определить величину и знак встроенного в диэлектрик заряда Qox.