ЛОКОС процесс

Допустим, что мы имеем два близко расположенных n- канальных транзистора с общим затвором (см. рис. 1).

Направление проводимости активных транзисторов перпендикулярно поликремниевому затвору. Под затвором между соседними транзисторами возникает паразитный транзистор. Если его пороговое напряжение слишком низкое, то между близкорасположенными n⁺ областями может образоваться инверсионный слой, который соединит соседние активные транзисторы. Во избежание этого необходимо повысить пороговое напряжение паразитного транзистора. Для чего между активными транзисторами создается толстый слой окисла и/или увеличивается степень легирования подложки.

Указанный выше диэлектрический слой формируется по технологии локального окисления кремния (ЛОКОС процесс). Данная технология имеет преимущества по сравнению с обычным способом выращивания толстого слоя двуокиси кремния над всей поверхностью подложки с последующим вскрытием окон для создания активных транзисторов.

Эти преимущества заключаются в следующем: во-первых - рельеф поверхности более гладкий, т. к. часть изолирующего окисла располагается под поверхностью подложки (см. рис. 2), во-вторых - область, ограничивающая распространение канала, самосовмещается с активными областями транзисторов.

Заметим, что в качестве промежуточного слоя, используемого в качестве маски при локальном окислении, выступает нитрид кремния.

Этапы ЛОКОС процесса:

• травление маски нитрида и промежуточного окисла, а также имплантация примеси для создания областей, ограничивающих распространение канала,
• локальное окисление кремния,
• удаление пленок оксинитрида, нитрида и промежуточного слоя двуокиси кремния,
• выращивание подзатворного диэлектрика.