Факторы, влияющие на процесс диффузии

1) Температурная зависимость коэффициента диффузии.

Экспериментально установлено:  

D = D0exp(-E/kT)

E - энергия активации. Если построить график D от 1/kT  в полулогарифмических координатах, то получим прямую линию, тангенс угла наклона которой  tg a=E/kT, D0 - константа диффузии - частотный фактор.

Из атомистических моделей - это связано с частотой атомных скачков или частотой колебаний решетки (1013 Гц) не зависит от температуры, E - энергия активации, связанная с энергиями образования дефектов.

E=3-4 эВ - при вакансионной модели. E=0,6-1,2 эВ - при межузельной модели.

Если измерять температурную зависимость D, можно определить механизм диффузии.

2) Коэффициенты диффузии элементов B, P, As, Sb.

а) Диффузия в собственный кремний.

  B P As Sb
  (Di+)B (Dix)P (Di-)As (Dix)Sb
D0, см2 0,76 3,85 24 - 60 0,214
E,  эВ 3,46 3,66 4,08 - 4,2 3,65

3SiH4 + 4NH3  Si3N4 + 12H2 - собственный коэффициент диффузии, E - энергия активации. V+ - ионизованные вакансии донорного типа.  Vx -  нейтральные вакансии.  V -- ионизованные вакансии акцепторного типа.

б) Диффузия при высоких концентрациях примесей.

    I) Мышьяк. Из теории взаимодействия с ионизованными дефектами:

DAs=(2n/ni)(Di)As

- коэффициент учитывает влияние электрического поля. Если концентрация As>1020см-3, то образуются кластеры и при T<1000 °C коэффициент диффузии кластеров очень мал, при более высокой температуре кластеры распадаются  и диффузия идет атомами.

    II) Бор.

При CB >1020 см-3     D стремится к 0, как в случае с мышьяком.

в) Диффузия в SiO2.

Получают экспериментальным путем коэффициент диффузии для разных примесей по результатам легирующей через SiO2 поверхности кремния.

3) Влияние электрического поля.

При диффузии ионов создается внутреннее электрическое поле:

Для донорной примеси: . Так как число ионизованных доноров равно числу электронов и считая, что все доноры ионизованы, получаем:
np=ni2 и NД=n. Тогда

              (1)

Диффузионный поток в электрическом поле:

    (2)

где Z - заряд донорных атомов. Подставляя (1) в (2) и заменив   на , получим  

,   где

h - коэффициент ускорения диффузии при наличии электрического поля. В случае, когда ND/2ni  много больше 1,    h =2  -  максимальное ускорение.


>